际使用效果很好。

采用了浸入式光源技术以后，364纳米的光束波长被约束到了312纳米！

比之英特尔使用的350纳米技术，提升了近40纳米！

在白云天的亲自指导监督下，有李莲、华新等人直接领导，光刻机的制造进度快得惊人，透镜、工作台子系统、光源等最大的技术难点，一一被轻松攻克。经

过两个月的技术攻关——其实就是逐步熟悉制造工艺，一台双工位，最大晶元刻蚀尺寸为200mm的光刻机就顺利建造完成，顺利得让所有参与制造的技术人员感觉如在做梦。

“这就做好了？”当

最后一块挡板合上，螺丝拧紧，对光刻机通电系统测试通过，白云天宣布光刻机研发成功，其他人还是不敢相信这个事实，不由窃窃私语。连

下料到解决一个个技术问题，制作出子系统，再到总装，两个月就做出一台这时代最先进的光刻机……

这可能吗？就

算国内光刻机厂家，有现成图纸、熟练工，做一台出来也不止这点时间吧。“

行不行咱们试试不就知道了。”白云天看着众人表情，笑了笑没有解释。有

他带着一种接受了高端制造技术知识注入的新人亲自参与，两个月制造一台光刻机算什么。要

不是没有专用机床设备，哪要得了两个月！像

专门制造光刻机的A**L，一年就要卖几十上百台光刻机出去。

两月一台？这

么慢的生产速度，早就破产倒闭了！

光刻掩膜板早就做好了，这是白云天、李莲亲自动手做的，达到了钢铁城当前技术极限。掩

膜并非只有一个，而是一套。光

刻是个工序多达上百道的漫长加工过程，一道工序，可能就只有极微小的改变。逐步刻蚀掉需要加工部位的光刻胶，然后通过沉积、离子注入等方式，在硅晶元基片上生成所需的元器件、连线等不同部件。

因此整个过程是支离破碎的，每一次光刻都只针对一道工序，经由数百道工序之后，才会制造出一个包含了所有晶体管、电阻、电容等各种元器件的裸晶片。由

于工序漫长，每一道工序的掩膜必须严格对准，误差不能超过几个纳米。否则就会出现错位，导致沉积、注入不到正确的位置，制造失败。可

想而知，掩膜版的精度要求是多么高。从

制成的掩膜版上，众人只能看到星星点点的点、和纵横交错的细线，根本不知道最终出来的电路是怎样的。

工序如此之长，当然不可能马上就得出结果。研

究人员虽然很好奇，但是他们还有别的研究工作要做，当白云天宣布光刻机研发成功，研制团队解散以后，他们也只能回到本来的岗位，继续完成上面交代下来的研究工作。 本章未完，请点击下一页继续阅读！ 第3页/共4页