中村末广也正是因为这一失误，而被边缘化了，然后没有多久被发配到以他名字命名的中村研究所了。

正是因为索尼pSp芯片的漏电问题，导致首批pSp芯片明明能跑到333mhz，但是受限于漏电问题，导致最高只能跑到222mhz。

当时索尼甚至专门发布了公告：2006年3月前生产的pSp，cpU跑在222mhz，2006年3月后生产的，cpU可以跑在366mhz，用户可以自行选择。

中村末广眼睛眯了起来：“关桑，新芯在移动芯片领域的造诣深厚，你们的A1E芯片已经把130nm制程发挥到了极限，甚至比我们通过90nm制程设计的芯片性能还要更好。

我们的研发部门一直想绕开新芯的专利都没办法做到，我很相信新芯科技在这一领域的实力，但是新芯科技目前用过最先进的制程应该就只有130nm吧？

目前市面上还没有芯片代工厂商开始大规模推90nm制程的芯片，我们的芯片也才在索尼和东芝共建的晶圆厂少量生产。

你们怎么知道存在这种问题的？”

中村很谨慎，大家关系好归关系好，他也不希望看到索尼被新芯科技渗透的和筛子一样。

关建英说：“因为我们即将推出的第二代mphone也将采用90nm的工艺，离第一代mphone已经过去两年时间了，matrix之所以没有发布新一代mphone，很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。

我们在和Ibm、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候，新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。

所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术，我就猜到了你们同样会面临这一问题。”

中村心想，原来是我泄露的吗？我只是说了这么含糊的一句，关桑就推测出了这么多东西？

他内心不由得一阵佩服，然后连忙问：“新芯科技遇到了同样的问题，看来关桑是想到了解决方法？”

中村末广显然格外上心，要是pSp的芯片出了问题，那死的第一个就是他。

关建英点头：“新芯科技从两年前开始着手超低K介电材料的应用，目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。

我们把它叫做blackdiamond薄膜，它的有效介电常数会小于3.0，同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后，可以将电容值降低25%到35%之间。”

这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果，准确来说周新在成功卖掉quora之后在硅谷成立了研发中心，有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。

其中超低K介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一，因为周新天然知道超低K介电材料未来在半导体材料中会越来越重要，并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。

低k介质在超大规模集成电路中，随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减小，需要它作为绝缘材料，以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩小，对低K介质的要求也越来越高。