东京半导体设备展有很多年历史,今年因为新芯宣布旗下的光刻机业务条线突破了40nm工艺制程,导致这次的东京半导体设备展格外引人注目。
新芯这个名字在半导体行业内并不陌生,甚至颇有种大名鼎鼎的味道在内,因为这家企业和它的创始人周新一样,迅速崛起后在业内占据了重要的地位。
台积电被它压制的极其难受,ARM的移动芯片架构成为主流新芯功不可没,德州仪器、三星、英特尔这些老牌巨头纷纷下注移动芯片同样是因为新芯。
因为新芯的地位和行业口碑,让大家相信新芯确实突破了40nm工艺制程,尤其是友商们,他们更关注另外一件事。
“新芯是如何做到的?”在东京半导体展的开幕式上,小松正志低声问他旁边的佐藤博人。
小松正志是霓虹EUVA的执行董事,同时也是小松株式会社的会长,小松株式会社是光源制造商。
在霓虹产经社的主导下,尼康、佳能、小松株式会社、东芝和三菱等等都是EUVA的成员,EUVA的全称是极紫外光光刻开发协会,极紫外光就是13.5nm波长的光。
因此新芯宣布攻克40nm制程后,EUVA的成员们并没有太大的危机感,因为他们一旦攻克了极紫外光,那么从65nm制程一直到5nm都将畅通无阻。
甚至站在EUVA,也就是协会的立场和小松株式会社的立场来说,小松正志有点巴不得新芯是真的突破了,也就是说那种可以用在大规模生产上有良品率保障的突破,而别是实验室突破。
因为新芯攻克了40nm工艺制程,意味着EUVA会获得更多的资源支持,小松株式会社作为其中唯一的光源制造商,自然也会获得更多的资源扶持。
至于新芯在光刻机市场上彻底击败霓虹,小松正志从来没有想过这种可能性,在他看来这是不可能的事情。
不过后世A**L能够借助技术优势几乎在短短三年时间内彻底实现逆转,打的尼康和佳能永世不得翻身,这完全不是市场化行为,而是A**L背后的阿美利肯资本主导下的行为。
为什么这么说,因为在A**L靠着浸润法率先攻克40nm的工艺制程并获得英特尔的生产验证后,他们召开了光刻未来技术研讨会,会上邀请了10家主要的芯片制造厂商,也就是他们的主要客户。
会上,A**L表示他们已经借助浸润法成功攻克了那道门槛,也就是卡住芯片工艺继续发展的门槛,希望大家支持浸润法光刻机作为未来唯一的技术路线,说白了就是只支持A**L。
在场10家芯片制造厂商里有6家技术代表你们的浸润法光刻机没问题,但是我们也希望让157nm干式光刻机继续发展作为备份的技术路线,因为这样一旦浸润式光刻机技术路线遇到阻碍,我们还有第二个选项。
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